Досліджено фiзичнi явища, що пов'язані міждолинним переносом електронів у діодах Ганна на основі варі-зонного <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > з <$En sup + ~-~ n > та <$En sup + ~-~ n sup ~-~ n > катодами за різної довжини активної області та товщині варізонного шару. Показано, що <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > діоди по вихідній потужності та ефективності генерації у всьому діапазоні частот перевищують діоди на основі просторово однорідних за складом напівпровідникових сполук <$Eroman In P sub 1-x As sub x > при x = 0...0,4.

Исследованы физические явления, связанные с междолинным переносом электронов в диодах Ганна на основе варизонного <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > с <$En sup + ~-~ n > и <$En sup + ~-~ n sup ~-~ n > катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений <$Eroman In P sub 1-x As sub x > при x=0...0,4.

Physical phenomena of the transfer electron effect in Gunn diodes on the based <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > variband semiconductor compounds with <$En sup + ~-~ n > and <$En sup + ~-~ n sup ~-~ n > cathode contacts at different active region length and variband layer thickness has been done. It hasbeen proved that <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > diodes output power and efficiency oscillation in all frequency range exceed of diodes on the base of the <$Eroman In P sub 1-x As sub x > spatially homogeneous composition semiconductor alloy at the x = 0...0,4.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"