РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000079896<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Стороженко И. П. 
Варизонные <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) >диоды Ганна с различными катодными контактами / И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. - 2006. - 11, № 3. - С. 421-429. - Библиогр.: 14 назв. - рус.

Досліджено фiзичнi явища, що пов'язані міждолинним переносом електронів у діодах Ганна на основі варі-зонного <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > з <$En sup + ~-~ n > та <$En sup + ~-~ n sup ~-~ n > катодами за різної довжини активної області та товщині варізонного шару. Показано, що <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > діоди по вихідній потужності та ефективності генерації у всьому діапазоні частот перевищують діоди на основі просторово однорідних за складом напівпровідникових сполук <$Eroman In P sub 1-x As sub x > при x = 0...0,4.

Исследованы физические явления, связанные с междолинным переносом электронов в диодах Ганна на основе варизонного <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > с <$En sup + ~-~ n > и <$En sup + ~-~ n sup ~-~ n > катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений <$Eroman In P sub 1-x As sub x > при x=0...0,4.

Physical phenomena of the transfer electron effect in Gunn diodes on the based <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > variband semiconductor compounds with <$En sup + ~-~ n > and <$En sup + ~-~ n sup ~-~ n > cathode contacts at different active region length and variband layer thickness has been done. It hasbeen proved that <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) > diodes output power and efficiency oscillation in all frequency range exceed of diodes on the base of the <$Eroman In P sub 1-x As sub x > spatially homogeneous composition semiconductor alloy at the x = 0...0,4.


Ключ. слова: вариозный диод, частотный предел колебаний, толщина вариозного шара
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського