Досліджено процес перетворення графіту в алмаз за статичного тиску 8 ГПа в системі Al-С. Високотемпературні експерименти проведені в апараті типу "тороїд". Тонкий шар розплаву алюмінію створювали на підкладці з кубічного нітриду бору з метою полегшення процесу зародкоутворення. Кристалізацію алмазу спостерігали за температур 2270 - 2470 К. У разі тривалості термобаричної дії 60 с на поверхні кераміки формується суцільний алмазний шар товщиною 50 - 200 мкм. Кристаломорфологія поверхні алмазного шару відповідає епітаксійному зародженню з орієнтацією граней {111} кристалів переважно паралельно до поверхні кераміки cBN.

In the paper the process of graphite-into-diamond transformation has been investigated at static pressure 8 GPa in the Al - C system. High-temperature experiments have been carried out using the toroid-type apparatus. A thin layer of the aluminum melt has been produced on a cubic boron nitride (cBN) substrate to facilitate the nucleation process. The diamond crystallization has been observed in the 2270 - 2470 K range. A continuous diamond layer from 50 up to <$E200~ mu roman m> in thickness was formed on the ceramicsurface for 60 s. Crystallomorphology of the diamond layer surface corresponds to an epitaxial grows with orientation of crystals facets {111} preferably parallel to surface of cBN ceramics

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"