Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока, приводящего к резкому неоднородному разогреву кристалла. Проведены исследования изменения характеристик кристаллов промышленных диодов КД105-КД209. Определены энергетические параметры вводимых новых центров рекомбинации.

Regulated change of time of a life of nonbasic carriers of a charge in base diode crystal of the semiconductor under action of a short modifying pulse of the current resulting to sharp non-uniform warming up of a crystal is offered. Researches of change of the characteristics crystals of industrial diodes КД105-КД209 are lead. Power parameters of the entered new recombination centres are determined.

• Третяк Олена Володимирівна (педагогічні науки)
• Третяк Олексій Володимирович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"