Иванов В. Н. Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны / В. Н. Иванов, В. М. Ковтонюк, Ю. Е. Николаенко // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 2. - С. 29-30. - Библиогр.: 4 назв. - рус.Разработаны диоды Ганна из GaAs с катодным контактом <$Eroman {AuGе~-~TiB sub 2 ~-~Au}>, который инжектирует горячие электроны. Диоды Ганна работают в диапазоне частот от 17,44 до 78,0 ГГц с эффективностью от 8 до 4 %, соответственно. На основе диода Ганна разработан генератор с электрической перестройкой частоты в диапазоне частот 32,7 - 34,7 ГГц с перепадом выходной мощности менее 1,5 дБ в полосе перестройки и при изменении температуры от -<$E50~ symbol Р roman С> до +<$E75~ symbol Р roman С>. The GaAs Gunn diode is developed with the cathode contact of AuGe-TiB2-Au , which injecting hot electrons. The Gunn diodes work in the range of frequencies from 17,44 GHz to 78,0 GHz with efficiency from 8% to 4% accordingly. On the Gunn diode is developed a generator with electric retuning of frequency in the range of frequencies 32,7-34,7 GHz with the overfall of output power in the bar of retuning and at change of temperature from minus 50°C to 75°C below 1,5 dB. Ключ. слова: арсенид галлия, диод Ганна, инжекция горячих электронов Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|