Розглянуто основні питання відбивної еліпсометрії, зокрема, зв'язок характеристик відбивної системи з поляризаційними параметрами відбитої від системи електромагнітної хвилі для різних моделей відбивної системи - одно-, двошарової, гетерогенних середовищ, середовищ із шорсткими межами поділу. Викладено основи методу фотоелектричної еліпсометрії, алгоритми розрахунку параметрів системи за виміряними значеннями еліпсометричних параметрів. Значну увагу приділено зв'язку оптичних і електронних характеристик системи в області релаксації носіїв заряду, зв'язку енергетичної зонної структури з оптичними властивостями металів, напівпровідників і діелектриків. Наведено результати спектроеліпсометричних досліджень домішкових станів невпорядкованих сплавів, ефектів андерсонівської локалізації електронів у аморфних металевих сплавах, поляритонних ефектів у плівках.

Рассмотрены основные вопросы отражательной эллипсометрии, в частности, связь характеристик отражательной системы с поляризационными параметрами отраженной от системы электромагнитной волны для разных моделей отражательной системы - одно-, двухслойной, гетерогенных сред, сред с шероховатыми границами деления. Изложены основы метода фотоэлектрической эллипсометрии, алгоритмы расчета параметров системы по измеренным значениям эллипсометрических параметров. Значительное внимание уделено связи оптических и электронных характеристик системы в области релаксации носителей заряда, связи энергетической зонной структуры с оптическими свойствами металлов, полупроводников и диэлектриков. Приведены результаты спектроэллипсометрических исследований добавочных состояний неупорядоченных сплавов, эффектов андерсоновской локализации электронов в аморфных металлических сплавах, поляритонных эффектов у пленках.

• Стащук Василь Степанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"