Кривенко Е. В. Использование метода диэлектрометрии для определения компонентного состава смесей сыпучих веществ / Е. В. Кривенко, А. Я. Кириченко, В. И. Луценко // Радиофизика и электроника. - 2007. - 12, № 2. - С. 416-420. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Досліджено добротності власних коливань аксіально-шаруватої структури, що складається з шару суміші портландцементу та піску, розташованого паралельно торцевій поверхні частково екранованого напівдискового діелектричного резонатора. Встановлено, що внесення в поле резонатора паралельно його бічній поверхні досліджуваного зразка призводить до зміни власних частот резонатора і його добротності тим більше, чим вище значення дійсної та уявної частин діелектричної проникності досліджуваного матеріалу. Досліджено вплив компонентного складу діелектрика, прицільної відстані на частоту і добротність резонансу. Одержано залежності зміни частоти і крутості електронної перебудови автогенератора на основі діода Ганна, стабілізованого аксіально-шаруватою структурою від компонентного складу і вологості, діелектрика. Исследованы добротности собственных колебаний аксиально-слоистой структуры, состоящей из слоя смеси портландцемента с песком, расположенного параллельно торцевой поверхности частично экранированного полудискового диэлектрического резонатора. Установлено, что внесение в поле резонатора параллельно его боковой поверхности исследуемого образца приводит к изменению собственных частот резонатора и его добротности тем больше, чем выше значения действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости исследуемого материала. Исследовано влияние компонентного состава диэлектрика, прицельного расстояния на частоту и добротность резонанса. Получены зависимости изменения частоты и крутизны электронной перестройки автогенератора на основе диода Ганна, стабилизированного аксиально-слоистой структурой от компонентного состава и влажности диэлектрика. The Q-factors of characteristic oscillations of axial-flaky structure that consist of dielectric layer is parallel to faceplate of partially shielded half-disk dielectric resonators are investigated. We ascertained that bringing into the resonator field parallel to its lateral face at some aiming distance of dielectric example leads to resonator eigenfrequencies and Q-factor changing the more, the higher the real and imaginary parts of investigated material permittivity. Influence of dielectric component composition, its thickness and aiming distance on resonance frequency and Q-factor is investigated. The dependences of frequency and electronic tuning steepness of self-excited oscillator on basis of Gunn diode stabilized of axially flaky structure on dielectric component composition and moisture are obtained. Ключ. слова: диэлектрическая постоянная, квазиоптический диэлектрический резонатор, автогенератор Індекс рубрикатора НБУВ: З845.74
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|