РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000086777<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Кривенко Е. В. 
Использование метода диэлектрометрии для определения компонентного состава смесей сыпучих веществ / Е. В. Кривенко, А. Я. Кириченко, В. И. Луценко // Радиофизика и электроника. - 2007. - 12, № 2. - С. 416-420. - Библиогр.: 11 назв. - рус.

Досліджено добротності власних коливань аксіально-шаруватої структури, що складається з шару суміші портландцементу та піску, розташованого паралельно торцевій поверхні частково екранованого напівдискового діелектричного резонатора. Встановлено, що внесення в поле резонатора паралельно його бічній поверхні досліджуваного зразка призводить до зміни власних частот резонатора і його добротності тим більше, чим вище значення дійсної та уявної частин діелектричної проникності досліджуваного матеріалу. Досліджено вплив компонентного складу діелектрика, прицільної відстані на частоту і добротність резонансу. Одержано залежності зміни частоти і крутості електронної перебудови автогенератора на основі діода Ганна, стабілізованого аксіально-шаруватою структурою від компонентного складу і вологості, діелектрика.

Исследованы добротности собственных колебаний аксиально-слоистой структуры, состоящей из слоя смеси портландцемента с песком, расположенного параллельно торцевой поверхности частично экранированного полудискового диэлектрического резонатора. Установлено, что внесение в поле резонатора параллельно его боковой поверхности исследуемого образца приводит к изменению собственных частот резонатора и его добротности тем больше, чем выше значения действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости исследуемого материала. Исследовано влияние компонентного состава диэлектрика, прицельного расстояния на частоту и добротность резонанса. Получены зависимости изменения частоты и крутизны электронной перестройки автогенератора на основе диода Ганна, стабилизированного аксиально-слоистой структурой от компонентного состава и влажности диэлектрика.

The Q-factors of characteristic oscillations of axial-flaky structure that consist of dielectric layer is parallel to faceplate of partially shielded half-disk dielectric resonators are investigated. We ascertained that bringing into the resonator field parallel to its lateral face at some aiming distance of dielectric example leads to resonator eigenfrequencies and Q-factor changing the more, the higher the real and imaginary parts of investigated material permittivity. Influence of dielectric component composition, its thickness and aiming distance on resonance frequency and Q-factor is investigated. The dependences of frequency and electronic tuning steepness of self-excited oscillator on basis of Gunn diode stabilized of axially flaky structure on dielectric component composition and moisture are obtained.


Ключ. слова: диэлектрическая постоянная, квазиоптический диэлектрический резонатор, автогенератор
Індекс рубрикатора НБУВ: З845.74

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського