Описаны исследования характеристик кремниевых диффузионных резисторов при протекании через них импульсов тока с плотностью вплоть до разрушающей. Исследованы переходные процессы при включении резисторов. Полученные результаты позволили объяснить характерные особенности различных участков вольт-амперных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в кремниевых резисторах.

Silicon diffusion resistor characteristics are described at current pulses flowing with current densities up to destructive. The transitional processes at resistor turning on were discovered. The results obtained allowed us to explain the characteristic features of the I-V curve different sections. The physical model explaining the regularities in the silicon resistors was suggested.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"