Исследованы спектральная фоточувствительность и механизмы токопереноса в двухбарьерных <$Ep~ roman {(Al sub 0,08 Ga sub 0,82 )In sub 0,1 As}>-n GaAs:О-Au-структурах при комнатной температуре. Показано, что в зависимости от режима включения имеют место туннельно-инжекционный и генерационно-инжекционный токи. Исследованная двухсторонне чувствительная и работоспособная при любой полярности рабочего напряжения двухбарьерная структура представляет интерес для приема и обработки оптических сигналов в видимой (<$Elambda ~=~0,5 symbol Ь ~0,9~ roman мкм>, <$Elambda ~=~0,9 symbol Ь ~1,0~ roman мкм>) и ближней ИК (<$Elambda ~=~1,0 symbol Ь ~1,4~ roman мкм>, <$Elambda ~=~1,4 symbol Ь ~1,6~ roman мкм>) областях спектра, перспективных для оптоэлектроники.

The results of research of spectral photosensitivity and mechanisms current transfer in two-barrier p-n-m-structures are given at room temperature (300 К). It is shown, that the tunnel-injection and generate-injection currents take place depending on a mode of connection. The photosensitivity in impurity part of spectrum is explained by excitation by electric of field deeply level of impurity of own defects in heterolauer AlGaInAs and in active area in nGaAs doped by oxygen. Double sensitive two-barrier structure and efficient at any polarity of a working voltage researched is of interest for reception and processing of optical signals in seen (?=0,5...0,9), (0,9...1,0) and impurity parts of a spectrum (1,0...1,4), (1,4...1,6 ?m) that are perspective for optoelectronics.

Ключ. слова: двухбарьерная структура, примесная фоточувствительность, туннельно-инжекционный, генерационно-инжекционный, показатель степени
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"