РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000088223<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Грищенко С. В. 
Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений / С. В. Грищенко, А. А. Демин, В. В. Лысак, С. И. Петров // Радиофизика и электроника. - 2007. - 12, № 2. - С. 401-407. - Библиогр.: 15 назв. - рус.

Проведено теоретичне дослідження квантової ефективності резонансного p-і-n фотодетектора на основі InGaAs/GaAs для надшвидких оптичних з'єднань. Розраховано квантову ефективність для умов резонансу. Математична модель включає фізичні параметри фотодетектора та враховує довжину хвилі випромінювання, відбивну спроможність дзеркал та оптичне поглинання в усіх шарах детектора. Одержано залежності квантової ефективності від коєфіцієнта відбивання верхнього дзеркала резонатора на основі Al0,65Ga0,35As/GaAs за різних параметрів структури. Знайдено значення коєфіцієнта відбивання верхнього дзеркала залежно від фізичних параметрів структури.

Проведено теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитывает длину волны излучения, отражательную способность зеркал и оптическое поглощение во всех слоях детектора. Были получены зависимости квантовой эффективности от коэффициента отражения верхнего зеркала резонатора на основе Al0,65Ga0,35As/GaAs при различных параметрах структуры. Найдены значения коэффициента отражения верхнего зеркала в зависимости от физических параметров структуры.

We present a theoretical analysis on the quantum efficiency of a resonant cavity enhanced (RCE) InGaAs/GaAs p-i-n detector for the ultrashort optical connections. The quantum efficiency (QE) under resonant condition has been calculated. The math modelincludes physical parameters of photodetector and takes into account wavelength, reflecting availability of mirrors and optical absorption in all photodetector layers. QE dependence from the top mirror reflectivity coefficient based on Al0,65Ga0,35As/GaAs was obtained. Magnitude of reflectivity coefficient of the top mirror in dependence of different physical parameters was found.


Ключ. слова: квантовая эффективность, резонансный фотодетектор, распределенный брегговский отражатель
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського