Досліджено вплив напруги зміщення на магнітоопір та спінову поляризацію електронного струму тунельного переходу феромагнітний метал/діелектрик/феромагнітний метал (FM/I/FM) у межах двозонної моделі вільних електронів у феромагнітних електродах. Показано, що величина та знак магнітоопору тунельного переходу FM/I/FM суттєво залежить як від висоти та ширини потенційного бар'єру, так і від величини напруги зміщення. Знайдено, що залежно від висоти та ширини потенційного бар'єру магнітоопір зменшується або збільшується зі збільшенням напруги зміщення. Встановлено, що магнітоопір може змінювати свій знак та осцилювати зі збільшенням напруги зміщення. Знайдено, що зміна знаку магнітоопору пов'язана з тим, що коефіцієнт проходження електронів основної поляризації через тунельний перехід FM/I/FM стає найбільшим у випадку антипаралельної, а не паралельної намагніченості феромагнітних електродів. Показано, що величина та знак поляризації електронного струму може змінюватися у разі зміни намагніченості феромагнітних електродів.

Исследовано влияние напряжения смещения на магнитосопротивление и спиновую поляризацию электронного тока туннельного перехода ферромагнитный металл/диэлектрик/ферромагнитный металл (FM/I/FM) в рамках двухзонной модели свободных электронов в ферромагнитных электродах. Показано, что величина и знак магнитосопротивления туннельного перехода FM/I/FM существенно зависят как от высоты и ширины потенциального барьера, так и от величины напряжения смещения. Найдено, что в зависимости от высоты и ширины потенциального барьера магнитосопротивление как уменьшается, так и увеличивается с увеличением напряжения смещения. Установлено, что магнитосопротивление может изменять свой знак и осциллировать с увеличением напряжения смещения. Найдено, что изменение знака магнитосопротивления связано с тем, что коэффициент прохождения электронов основной поляризации через туннельный переход FM/I/FM становится наибольшим для случая антипараллельного, а не параллельного намагничивания ферромагнитных электродов. Показано, что величина и знак поляризации электронного тока может изменяться при изменении намагниченностей ферромагнитных электродов.

The influence of the bias voltage on the magnetoresistance and spin polarization of the electron current of the ferromagnetic metal-insulator-ferromagnetic metal (FM/I/FM) tunneling junction within a two-band model of free electrons in ferromagnetic electrodes has been studied theoretically in the paper. It is shown that the value and sign of the magnetoresistance of the FM/I/FM tunneling junction depend essentially both on the height and width of the potential barrier and on the value of the bias voltage. We have found out that the height and width of the potential barrier can be chosen in such a way that the value of the magnetoresistance can be both reduced and increased as the bias voltage increases. It has been determined that the magnetoresistance changes the sign and oscillates with increasing bias voltage. We have found out that the change of the sign of the magnetoresistance takes place due to the fact that the tunneling transmission coefficient of the majority electrons is the largest in the case of the antiparallel magnetization of the ferromagnetic electrodes and not parallel one. It has been shown that the value and sign of the spin polarization of the electron current can be changed with reversing the ferromagnetic electrode magnetizations.

• Борисенко Сергій Анатолійович (фізико-математичні науки)
• Борисенко Світлана Анатоліївна (фізико-математичні науки)
• Борисенко Сергій Анатолійович (історичні науки)
• Яковенко Віктор Миколайович (фізико-математичні науки)
• Яковенко Володимир Миколайович (біологічні науки)
• Яковенко Володимир Мефодійович (1934–2022) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"