Рассмотрены модель возникновения дефектов в виде пятен на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе на основе фтороводородной кислоты, а также модель удаления этих дефектов в растворах химикатов. Исследовано влияние на количество дефектов скорости вращения центрифуги во время сушки и рельефа структур, создаваемых на пластине. Показана возможность удаления дефектов методом химической обработки в перекисно-аммиачных растворах (ПАР) или при помощи последовательности операции химической очистки в смеси Каро и в ПАР, а также травления <$Eroman SiO sub 2>.

An origin model for spot defects upon the polysilicon surface after the the wet etch of semiconductor wafers in diluted hydrofluoric acid and a removal model of these defects are examined. The cause of the spots occurrence is hydrophobic behavior of the polysilicon surface after HF etch. The spots consist of silicon oxide produced through the reaction of polysilicon with oxygen dissolved in water droplets upon the wafer surface. The wafer rotation speed during spin during and aspect ratio of patterned structures formed on polysilicon surface are factors which influence the spot defects number. These sports can be removed with the wet immersion processing in ammonia-hydrogen peroxide mixtures (APM) or with the wet spray processing sequence using a sulfuric-peroxide mixture (SPM), APM and <$Eroman SiO sub 2> etch.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"