Рассмотрены особенности технологических процессов изготовления субмикронных КМОП СБИС и их моделирования. Особое внимание уделено моделированию примесного профиля. Моделирование технологических процессов изготовления субмикронных СБИС существенно уменьшает затраты на экспериментальные работы по оптимизации конструкции их элементов, в частности примесных профилей.

This work is devoted to the features of submicron CMOS VLSI producing technological processes and their simulation. The main attention is concentrated to the modeling of doping profile.

• Макарчук Вікторія Вікторівна (педагогічні науки)
• Макарчук Віталій Володимирович (юридичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"