Рассмотрены влияние интердиффузии и структурных дефектов на оптические свойства CdSe/ZnSe наноструктур, а также размерная зависимость температуры плавления и переохлаждения при кристаллизации в слоистых пленочных системах Al/Me/Al и Ge/Me/Al (Me-In, Sn, Bi, Pb). Изложены вопросы роста и характеризации наноостровки GeSi. Охарактеризованы многоэлементные гибридные фотоприемные устройства на основе узкощелевых полупроводников. Описаны особенности экситонной фотолюминесценции в слабо и сильно легированных квази-1D структурах на основе кремния, формирования алмазоподобных нанокластерных структур - эффектных полевых катодов. Раскрыто пороговое поведение поляритон-поляритонного рассеяния при больших уровнях возбуждения. Проанализирован опыт разработки фотоприемников ОАО "ЦКБ Ритм". Приведены современные подходы к исследованию параметров квантовых структур методами рентгеновской дифрактометрии.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"