Нові технології = New texnologies / ред.: А. П. Оксанич. - Кременчук, 2006. - 116 с. - (Наук. вісн. Кременчуц. ун-ту економіки, інформ. технологій і упр.; N 4(14)). - укp. - рус.Описано електричні властивості епітаксіальних шарів GaAs, отриманих за низької температури в системі Ga-AsC13-H2. Проаналізовано вплив водню на якість литих кремнієвих виробів. Розглянуто питання розробки неруйнуючого способу визначення неоднорідності фотоелектричних властивостей напівпровідникових з'єднань CdxHg1-xTe, алгоритмізації нелінійно-динамічного підходу до прогнозування часових рядів. Висвітлено природу переходів в задачах підвищення ефективності генерацій в лазерах на gGaAS, синтез програмно-апаратного комплексу багатофункціонального діагностування теплових режимів роботи силових електродвигунів. Описаны электрические свойства эпитексиальных слоев GaAs, полученных в условиях низкой температуры в системе Ga-AsC13-H2. Проанализировано влияние водорода на качество литых кремниевых изделий. Рассмотрены вопросы разработки неразрушающего способа определения неоднородности фотоэлектрических свойств полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe, алгоритмизации нелинейно-динамического подхода к прогнозированию временных рядов. Освещены природа переходов в задачах повышения эффективности генераций в лазерах gGaAS, синтез программно-аппаратного комплекса многофункционального диагностирования тепловых режимов работы силовых электродвигателей. Індекс рубрикатора НБУВ: З.я54(4УКР)3
Шифр НБУВ: Ж72551 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|