Описано технологію виготовлення і фотолюмінесцентні властивості нанокристалів Si та Ge в діелектричних матрицях. Проаналізовано вплив тепломасопереносу на розподілення кисню в розплаві під час вирощування зливків кремнію. Розглянуто питання фотолюмінісценції поруватих плівок кремнезему зі структурою аерогелю, удосконалення технології вирощування ниткоподібних кристалів кремнію та дослідження їх магнетизму, управління дефектною структурою бездислокаційних монокристалів кремнію на стадії росту кристалу. Визначено механізми переносу носіїв заряду в нанорозмірному поруватому кремнії. Наведено результати спектроскопічних досліджень впливу ультразвуку на кристали сульфіду цинку.

Описаны технология изготовления и фотолюминесцентные свойства нанокристаллов Si та Ge в диэлектрических матрицах. Проанализировано влияние тепломассопереноса на распределение кислорода в расплавлении в период выращивания слитков кремния. Рассмотрены вопросы фотолюминисценции пористых пленок кремнезема со структурой аэрогеля, усовершенствования технологии выращивания нитеобразных кристаллов кремния и исследования их магнетизма, управления дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния на стадии роста кристалла. Определены механизмы переноса носителей заряда в наноразмерном пористом кремнии. Приведены результаты спектроскопических исследований влияния ультразвука на кристаллы сульфида цинка.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"