Висвітлено технологічні аспекти вирощування нанокристалів телуриду свинцю методом осадження газодинамічного потоку пари. Проаналізовано вплив стану електронної підсистеми на величину електричного заряду нерухомих дислокацій у кристалах сульфіду цинку, природу фазового переходу в даних кристалах. Разглянуто питання радіаційної модифікації властивостей кремнієвих транзисторів. Описано особливості вирощування монокристалів кремнію з заданою концентрацією кисню за використання методу Чохральського. Визначено процеси на поверхні та неоднорідності профілів електричних параметрів епітаксійних плівок халькогенідів свинцю.

Освещены технологические аспекты выращивания нанокристаллов телурида свинца методом осаждения газодинамического потока пара. Проанализированы влияние состояния электронной подсистемы на величину электрического заряда неподвижных дислокаций в кристаллах сульфида цинка, природа фазового перехода в данных кристаллах. Рассмотрены вопросы радиационной модификации свойств кремниевых транзисторов. Описаны особенности выращивания монокристаллов кремния с заданной концентрацией кислорода при использовании метода Чохральского. Определены процессы на поверхности и неоднородности профилей электрических параметров эпитаксионных пленок халькогенидов свинца.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"