Исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au - n - GaAs, полученные химическим методом. Впервые обнаружено, что при освещении структур со стороны GaAs их фоточувствительность в фаулеровской области спектра увеличивается примерно на порядок. Предложен усовершенствованный вариант фотоэлектрического метода определения высоты барьера с высокой точностью и надежностью, что позволяет определять качество границы раздела металл - полупроводник и металл - диэлектрик - полупроводник. Метод может найти применение при разработке новых приборов полупроводниковой электроники.

It has been creatred two-side photosensitive structure of Au-n-GaAs by low temperature chemical method. It has been investigated spectrums of photosensitivity of structure in photon energy range of h?=0,9...2,2 eV. It has been defined Schottky barrierheight by photocurrent method by lighting the structure as from Au side as well from GaAs side at 300 K temperature. It has been first found that at lighting the structure from GaAs side, their photosensitivity in Fauler diapason of spectrum greates ten time approximately. It is represented improved variant of photoelectric method of definition of Schottky barrier. It allows to define potential barrier height by high precision and reliability. According to the potential barrier height which was found byrepresented us method, it is possible to try about quality of boundary metal-semiconductor and metal-insulator-semiconductor. This method can find application in process of elaboration new devices of semiconductor electronics.

Ключ. слова: структура "металл-полупроводник", химический метод получения, фоточувствительность, высота барьера Шоттки, освещение, фотоэлектрический метод определения
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"