На основе экспериментальных данных вольт-амперной характеристики по зависимости сопротивления от напряжения в двухбарьерных m-рGaAs-nGdS- и модернизированных m-рGaAs-рGaAs-nGdS-структурах проведен расчет перераспределения напряжения между прямо- и обратносмещаемыми переходами. Полученные данные могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.

On dependence of resistance on a voltage the account of redistribution of a voltage between directly and back by movable transitions is carried out on the basis of experimental data voltampere of the characteristic two-barrier m-рGaAs-nGdS- and modernized m-рGaAs-рGaAs-nGdS-structures. The received data could be used for a rating frequency of a range, dependence of photosensitivity on a field, to reveal mechanisms of photosensitivity of two-barrier structures with metal-semiconductor by transitions.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"