Досліджено виникнення та дрейф хвиль об'ємного заряду в діоді Ганна на базі варізонного <$E{ roman GaP} sub x(z) { roman As} sub {1~-~x(z) }> з <$En sup + ~-~n> катодом. Показано, що у варізонних діодах існують ефекти, яких нема у діодах Ганна на базі просторово-однорідних за складом напівпровідників. Зроблено узагальнення потрійних варізонних напівпровідників <$Eroman {А sub 3 В sub 5 }>.

Исследовано возникновение и дрейф волн объёмного заряда в диоде Ганна на основе варизонного <$E{ roman GaP} sub x(z) { roman As} sub {1~-~x(z) }> з <$En sup + ~-~n> катодом. Показано, что в варизонных диодах Ганна существуют эффекты, которых нет в диодах на основе пространственно-однородных по составу полупроводников. Сделано обобщение тройных варизонных полупроводников <$Eroman {А sub 3 В sub 5 }>.

Singularities formation and drift of volume charge wave in based variband GaPx(z)As1-x(z) Gunn diodes with n+-n cathode has been studied. These diodes are shown exist of phenomena's which not in employing spatially efficiency homogeneous semiconductors. To made extension of А3В5 variband threefold semiconductors.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"