Досліджено особливості резонансного поглинання у діелектричних вставках, у яких одна границя поділу середовищ має прямокутний виступ, а друга - перпендикулярна до стінок прямокутного хвилеводу. Знайдено, що такі резонансні структури можуть сильно поглинати енергію основної хвилі з одного плеча та сильно відбивати з другого плеча. Показано можливість використання відомої якісної моделі для визначення резонансних значень коефіцієнтів розсіяння та поглинання для вставок з малими втратами. За результатами вивчення полів дифракції запропоновано фізичну інтерпретацію механізму резонансного поглинання в таких вставках.

Исследованы особенности резонансного поглощения и отражения в диэлектрических вставках, у которых одна из границ раздела сред имеет прямоугольный выступ, а другая - перпендикулярна стенкам прямоугольного волновода. Обнаружено, что такие резонансные структуры могут сильно поглощать энергию основной волны из одного плеча и сильно отражать из другого плеча. Показана возможность использования известной качественной модели для определения резонансных значений коэффициентов рассеяния и поглощения для вставок с малыми потерями. По результатам изучения полей дифракции предложена физическая интерпретация механизма резонансного поглощения в таких вставках.

Features of resonance absorption in dielectric inserts, which one interface has a rectangular ledge and the other is perpendicular to rectangular waveguide walls, are studied. It is found that these resonator structures can provide a strong absorptionof the dominant mode power from one port and a strong reflection from the other port. A possibility to use the known qualitative model for determining resonance values of the scattering and absorption coefficients is shown in the case of low-loss inserts. By the results of studying the scattered fields, a treatment of the resonance absorption physical mechanism is proposed.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"