Турцевич А. С. Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов / А. С. Турцевич // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2008. - № 1. - С. 35-41. - Библиогр.: 41 назв. - рус.Исследовано влияние условий осаждения на процесс зародышеобразования, структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом (ПКЛК). При содержании кислорода 2,5 - 22,0 ат % ПКЛК имеет квазикристаллическую структуру. Плотность ПКЛК во всем исследованном диапазоне составила <$E2,2~-~2,3~ roman {г"/"см sup 3 }>. Предложено объяснение полученных результатов на основе многомаршрутного процесса осаждения слоев в системе <$Eroman {SiH sub 4 ~-~N sub 2 O}>. Полученные результаты использованы для оптимизации процессов изготовления изделий силовой электроники. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З85-5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|