Методами електронографії та трансмісійної електронної мікроскопії досліджено початкові стадії нарощування плівок CdHgTe на підкладках KCl, Si, GaAs, <$Eroman {Al sub 2 O sub 3 }> та CdTe. Плівки одержували методами імпульсного лазерного осадження, ізоПФЕ та МПЕ. Спостережено перехід аморфної структури в текстуровану полікристалічну аж до появи структури мозаїчного монокристала. Оцінено межу диспергування для переходу матеріалу в аморфний стан.

By electron diffraction and transmission electron microscopy were investigated the initial stages of growth the films CdHgTe on substrates KCl, Si, GaAs, <$Eroman {Al sub 2 O sub 3 }> and CdTe. The films were grown by a pulsed laser deposition, ISO VPE and МВЕ. Observed transition from amorphous structure up to textured polycrystalline and before occurrence of structure of a mosaic monocrystal.The threshold of the disperse for transition of a material in an amorphous condition is appreciated.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"