Досліджено дію лазерного випромінювання з довжиною хвилі lambda = 0,694 мкм, енергією в імпульсі W ~ 1,6 Дж і тривалістю tau = 1 мс на поверхню (112) монокристалічного германію. Шляхом розв'язання диференціального рівняння теплопровідності отримано залежності густини оптичної потужності, яку поглинає поверхня Ge, від часу опромінення, а також розподіл температури на поверхні вздовж радіуса лазерної плями. Проаналізовано фізичний механізм виникнення дислокацій на ділянці з температурою ~450 К, де фотонагрівання не є головним фактором дефектоутворення. Зроблено висновок, що дислокації в лінійно-періодичних структурах виникають завдяки гетерогенному зародженню і розширенню призматичних петель, орієнтованих у періодично-індукованому полі концентрації вакансій.

The influence of 1 ms laser pulse with energy 1.6 J and wavelength 0,694 мm on the surface (112) of Ge single crystal was investigated. Time dependence of optical power density absorbed by the Ge surface as well as temperature distribution on the surface along the laser spot radius was found by solving the heat-conduction equation. Physical mechanism of dislocation generation in the spot area with temperature ~450 K, where heating was not the main factor of defect generation, was analyzed. It was concluded that dislocations ranged in linear periodical structures were arising owing to heterogeneous springing and growing of prismatic loops oriented in periodic deformation-induced vacancy concentration field.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"