Ковтун Г. П. Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского / Г. П. Ковтун, А. П. Щербань // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2006. - № 6. - С. 3-6. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Дана краткая характеристика и сравнение метода Чохральского (ЖГЧ) с другими методами, а также его место в развитии технологии получения полиизолирующего арсенида галлия (ПИ-GaAs). Представлена информация о современных разработках ростового оборудования для производства ПИ-GaAs большого диаметра методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики вытягивающих установок нового и предшествующего поколений. Описаны тенденции разработок ростового оборудования, а также состояние отечественного машиностроения и промышленного производства арсенида галлия. The brief characteristic and comparison of LEC method with other methods, and also its place in development of technology of reception SI-GaAs is given. The scientific and technical information on modern development the equipment for production SI-GaAs of the big diameter by LEC method is submitted. Comparative characteristics of extending installations of new and previous generations are resulted. Tendencies of development the equipment, and also a status of domestic mechanical engineering and industrial production of arsenide gallium are described. Ключ. слова: монокристаллы арсенида галлия, полуизолирующий арсенид галлия, методы выращивания, метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава, характеристики установок Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|