Проведен анализ свойств эпитаксиальных слоев GaAs, полученных из галлиевых расплавов, легированных редкоземельными элементами (РЗЭ). Установлено, что каждому РЗЭ соответствует определенная критическая концентрация в расплаве, выше которой наблюдается инверсия типа проводимости эпитаксиальных слоев. Наиболее пригодными РЗЭ для получения эпитаксиальных слоев GaAs с высокой подвижностью электронов <$E27~000~-~45~000~ roman {см sup 2 "/"(В~ cdot ~с)}>, (77 К), низкой концентрацией собственных дефектов и совершенной морфологией поверхности являются Sc, Gd, Yb.

The analysis of electrophysical, photoluminescent and structural properties of epitaxial layers GaAs, obtained by method of liquid-phase epitaxy from the gallium melts dopped by rare-earth elements, has been conducted. It was investigated, that to each REE corresponds certain critical concentration in melt, higher of which the inversion of conductivity type of epitaxial layers is observed. Most suitable REE for receiption of epitaxsial layers GaAs with high mobility of electrons (27000-45000 sm2/(V·s), 77 К), low concentration of own defects and perfect morphology of surface, are Sc, Gd, Yb.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"