Досліджено вольт-амперні характеристики у діапазоні температур 240 - 324 К та спектральні залежності відносної квантової ефективності поверхнево-бар'єрних структур <$Eroman {In"/"CuInSe sub 2 }>. Інтерпретовано механізми проходження струму. Бар'єри Шотткі мають чітко виражені діодні характеристики. Аналіз спектрів фотоструму свідчить про їх широкосмуговість. Одержано попередні значення <$EU sub хх> ~ <$E200~ symbol Ш ~330~ roman мВ> та <$EJ sub кз> ~ <$E5~ symbol Ш ~15~ roman {мA~ cdot ~cм sup -2 }> засвідчують перспективність дослідження цих структур.

The current-voltage characteristics in a range of temperatures 240 - 324 K and relative quantum efficiency spectral dependences of <$Eroman {In"/"CuInSe sub 2 }> surface-barrier structures were investigated. The current mechanisms flows were interpreted. The Schottky barriers own well-defined diode characteristics. Analysis of photocurrent spectra testify about their wideband character. Received the previous values of <$Eroman {V sub oc }> ~ <$E200~ symbol Ш ~330~ roman mV> and <$EJ sub sc> ~ <$E5~ symbol Ш ~15~ roman {mA~ cdot ~cm sup -2 }> shows a research perspectivity of these structures.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"