РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000104139<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Шевчук В.  
Температурна залежність діелектричних та електричних властивостей кристалів <$Eroman bold {PbWO sub 4 }> / В. Шевчук, І. Каюн // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз. - 2005. - Вип. 38, ч. 1. - С. 122-134. - Бібліогр.: 30 назв. - укp.

Експериментальні залежності діелектричної проникності е нелегованих кристалів <$Eroman PbWO sub 4> на частоті 1 кГц розглянуто за температур Т = 290 - 550 К. Хід кривої е(Т) в процесі нагрівання та охолодження відмінний. Функцію е(Т) у випадку нагрівання характеризує наявність груп вузьких максимумів за 290 - 330 та 330 - 400 К з домінуванням перших. За 400 - 470 К простежується лінійна залежність е(Т), понад 470 К закон зміни е близький до експоненційного. Процес відновної релаксації значень е у межах 25 - 30 за 290 К після високотемпературного нагрівання зразка є багатостадійним. Дипольна поляризація та стрибковий механізм обміну зарядами між складними дипольними асоціатами визначають особливості е(Т) за низьких температур. Переважними дефектами структури є пари вакансій свинцю та кисню - диполони, на базі яких утворюються складніші дипольні комплекси.

Experimental dependencies of dielectric constant е of undoped single crystals <$Eroman PbWO sub 4> at frequency 1kHz in temperature range 290 - 550 K are considered. Course of curve е(T) at heating cooling are different. Function е(T) at heating characterized by narrow groups maximums at 290 330 K and 330 - 400 K with predominance of first. At 400 - 470 K are observed linear dependence of е(T), above 470 K law of е(T) variation is near exponential. Process of restoring relaxation values of е in range 25 - 30 at 290 K afterhigh-temperature heating of sample is multi-stage. The dipole polarization and hopping mechanism of charge exchange between complex dipolar associates determine features е(T) at low temperatures. The pairs of double-charge lead- and oxygen vacancies (dipolons) are predominates intrinsic defects of crystal structure, on basis of which more complex dipole associates are create.


Ключ. слова: вольфрамат свинцю, точкові дефекти, диполони, діелектрична проникність, термостимульована деполяризація, дипольна релаксація
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського