Рассмотрены конструктивно-технологические особенности и электрические свойства кремниевых диодов Шоттки, собираемых в стеклянных корпусах, требующих обеспечения термостойкости кристаллов на уровне <$E650~ symbol Р roman С>. Показано, что данные технологические требования удовлетворяет барьер Шоттки типа V/n-Si с высотой 0,654 В. При этом установлено наличие в переходном слое дисилицида ванадия, образующегося в процессе микромонтажа приборов. Рекомендовано также использовать двухслойную пассивирующую структуру <$Eroman {SiO sub 2 "/" Ta sub 2 O sub 5}>.

Particularities of silicon Schottky diodes design and technology have been described as well as their electrical properties. This type of devices are packaged in glass housing that demands the chip thermal stability at the level of <$E650~ symbol Р roman С>. It is shown that Schottky barrier of V/n-Si type with the barrier height 0,654 V corresponds to these technological demands. The phase of <$Eroman VSi sub 2> in the interface layer has been discovered. It is being formed during the packaging process. The double-layer film of <$Eroman {SiO sub 2 "/" Ta sub 2 O sub 5}>. is recommended for the chip covering as well.

• Баранов Віталій Вячеславович (економічні науки)
• Баранов В'ячеслав Валерійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"