Павленко Д. В. Ширина вольтамперных характеристик диодов ганна на основе <$Eroman bold In sub x Ga sub 1-x N> / Д. В. Павленко, Э. Д. Прохоров // Радиофизика и электроника. - 2006. - 11, № 2. - С. 291-297. - Библиогр.: 13 назв. - рус.Розглянуто ударну іонізацію в GaN, InN і їх сполуках, визначено ширину вольтамперних характеристик і напруги, за яких розвивається ударна іонізація, у діодах Ганна на основі GaN, InN і їх сполуках. Рассмотрена ударная ионизация в GaN, InN и их соединениях, определены ширина вольтамперных характеристик и напряжения, при которых развивается ударная ионизация в диодах Ганна на основе GaN, InN и их соединениях. Impact ionization in GaN, InN and their combinations is considered, the current-voltage characteristics' width and voltages enough for impact ionization development in Gunn diodes made of GaN, InN and their combinations are defined Ключ. слова: ударная ионизация, диод Ганна, ширина ВАХ Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|