Розглянуто ударну іонізацію в GaN, AlN та сполуках на їх основі. Визначено ширину вольтамперних характеристик і напруги, за яких розвивається ударна іонізація у діодах Ганна на основі GaN, AlN та їх сполуках.

Рассмотрена ударная ионизация в GaN, AlN и их соединениях, определены ширина вольтамперных характеристик и напряжения, при которых развивается ударная ионизация в диодах Ганна на основе GaN, AlN, и их соединениях.

Impact ionization in GaN, AlN and their combination is considered, the current-voltage characteristics width and voltages enough for impact ionization development in Gunn diodes made of GaN, AlN and their combinations are defined.

• Павленко Денис Вікторович (1988–) (юридичні науки)
• Павленко Дмитро Вікторович (1977–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"