За допомогою дворівневої моделі міждолинного переносу електронів (МПЕ) у напівпровідниках досліджено роботу GaAs-діодів Ганна з <$E{ roman Al} sub x { roman Ga} sub {1~-~x } roman As> и <$E{ roman GaP} sub x { roman As} sub {1~-~x }> катодами. Показані основні закономірності та особливості роботи приладів з МПЕ, у яких катодним контактом є ізотопний, прямозміщений гетероперехід на катодному контакті. Розраховано енергетичні та частотні характеристики. Визначено межові робочі частоти.

С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа GaAs-диодов Ганна с <$Eroman Al sub x Ga 1-x As> и <$Eroman GaP sub x As sub 1-x> катодами Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ, у которых катодным контактом является изотипный, прямосмещенный гетеропереход. Вычислены энергетические и частотные характеристики. Определены предельные рабочие частоты.

Operation of the GaAs TED's with AlxGa1-xAs and GaPxAs1-x cathodes is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in the semiconductors. Fundamental behaviors and specialty operation of the GaAs TED's with forward bias isotype heterojunction in cathode are defined. Energy and frequency cha-racteristics are calculated. Boundary operation frequencies are determined.

• Аркуша Юрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"