РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000108753<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Atanassova E. D. 
Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures = Вплив активних дій на властивості напівпровідникових матеріалів і структур : monogr. / E. D. Atanassova, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, P. M.Milenin Lytvyn, V. F. Mitin, V. V. Shynkarenko; V.Lashkaryov Inst. of Semiconductor Phys. of the NAS of Ukraine, Bulg. Acad. of Sciences, Inst. of Solid State Phys. - Kharkiv, 2007. - 215 p. c. - (State and Prosp. of Development for Functional Materials for Science and Technology). - англ.

Висвітлено фізико-технологічні аспекти взаємодії НВЧ-випромінювання з напівпровідниковими матеріалами та приладовими структурами на їх основі. Проаналізовано вплив активних обробок, зокрема, НВЧ-обробки, <$Eroman gamma>-опромінювання <$Eroman sup 60 Co> і швидкого термічного відпалу, на процеси структурної релаксації у контактах <$Eroman TiB sub 2> - GaAs (InP, GaP, SiC). Описано особливості НВЧ і <$Egamma>-випромінювання <$Eroman sup 60 Co> на електричні характеристики резонансно-тунельних діодів на основі гетеропереходів AlGaAs - GaAs і арсенідгалієвих тунельних діодів з <$Eroman delta>-шаром в області просторового заряду. Визначено вплив НВЧ-випромінювання на модифікацію дефектів у структурах <$Eroman SiO sub 2> - GaAs (SiC). Розглянуто стимульовані даним випромінюванням ефекти у системах "нанокристалічний кремній - кремній" та ефекти, викликані НВЧ і <$Eroman gamma>-опромінюванням <$Eroman sup 60 Co> у структурах <$Eroman Ta sub 2 O sub 5>-Si залежно від умов формування <$Eroman Ta sub 2 O sub 5>.

Освещены физико-технологические аспекты взаимодействия НВЧ-излучения с полупроводниковыми материалами и приборными структурами на их основе. Проанализированы влияние активных обработок, в частности, НВЧ-обработки, <$Eroman gamma>-облучения <$Eroman sup 60 Co> и быстрого термического отжига, на процессы структурной релаксации в контактах <$Eroman TiB sub 2> - GaAs (InP, GaP, SiC). Описаны особенности НВЧ и <$Egamma>-облучения <$Eroman sup 60 Co> на электрические характеристики резонансно-тоннельных диодов на основе гетеропереходов AlGaAs - GaAs и арсенидгаллиевых тоннельных диодов с <$Eroman delta>-слоем в области пространственного заряда. Определено влияние НВЧ-излучения на модификацию деффектов в структурах <$Eroman SiO sub 2> - GaAs (SiC). Рассмотрены стимулированные данным облучением эффекты в системах "нанокристаллический кремний - кремний" и эффекты, вызванные НВЧ и <$Eroman gamma>-облучением <$Eroman sup 60 Co> в структурах <$Eroman Ta sub 2 O sub 5>-Si в зависимости от условий формирования <$Eroman Ta sub 2 O sub 5>.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,021 + З852.2,021

Рубрики:

Шифр НБУВ: ІВ209499 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського