Atanassova E. D. Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures = Вплив активних дій на властивості напівпровідникових матеріалів і структур : monogr. / E. D. Atanassova, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, P. M.Milenin Lytvyn, V. F. Mitin, V. V. Shynkarenko; V.Lashkaryov Inst. of Semiconductor Phys. of the NAS of Ukraine, Bulg. Acad. of Sciences, Inst. of Solid State Phys. - Kharkiv, 2007. - 215 p. c. - (State and Prosp. of Development for Functional Materials for Science and Technology). - англ.Висвітлено фізико-технологічні аспекти взаємодії НВЧ-випромінювання з напівпровідниковими матеріалами та приладовими структурами на їх основі. Проаналізовано вплив активних обробок, зокрема, НВЧ-обробки, <$Eroman gamma>-опромінювання <$Eroman sup 60 Co> і швидкого термічного відпалу, на процеси структурної релаксації у контактах <$Eroman TiB sub 2> - GaAs (InP, GaP, SiC). Описано особливості НВЧ і <$Egamma>-випромінювання <$Eroman sup 60 Co> на електричні характеристики резонансно-тунельних діодів на основі гетеропереходів AlGaAs - GaAs і арсенідгалієвих тунельних діодів з <$Eroman delta>-шаром в області просторового заряду. Визначено вплив НВЧ-випромінювання на модифікацію дефектів у структурах <$Eroman SiO sub 2> - GaAs (SiC). Розглянуто стимульовані даним випромінюванням ефекти у системах "нанокристалічний кремній - кремній" та ефекти, викликані НВЧ і <$Eroman gamma>-опромінюванням <$Eroman sup 60 Co> у структурах <$Eroman Ta sub 2 O sub 5>-Si залежно від умов формування <$Eroman Ta sub 2 O sub 5>. Освещены физико-технологические аспекты взаимодействия НВЧ-излучения с полупроводниковыми материалами и приборными структурами на их основе. Проанализированы влияние активных обработок, в частности, НВЧ-обработки, <$Eroman gamma>-облучения <$Eroman sup 60 Co> и быстрого термического отжига, на процессы структурной релаксации в контактах <$Eroman TiB sub 2> - GaAs (InP, GaP, SiC). Описаны особенности НВЧ и <$Egamma>-облучения <$Eroman sup 60 Co> на электрические характеристики резонансно-тоннельных диодов на основе гетеропереходов AlGaAs - GaAs и арсенидгаллиевых тоннельных диодов с <$Eroman delta>-слоем в области пространственного заряда. Определено влияние НВЧ-излучения на модификацию деффектов в структурах <$Eroman SiO sub 2> - GaAs (SiC). Рассмотрены стимулированные данным облучением эффекты в системах "нанокристаллический кремний - кремний" и эффекты, вызванные НВЧ и <$Eroman gamma>-облучением <$Eroman sup 60 Co> в структурах <$Eroman Ta sub 2 O sub 5>-Si в зависимости от условий формирования <$Eroman Ta sub 2 O sub 5>. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,021 + З852.2,021
Рубрики:
Шифр НБУВ: ІВ209499 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|