Шляхом дослідження екзоелектронної емісії та за допомогою диференційного термічного аналізу вивчено кінетику фазових переходів, що відбуваються у напівпровідникових халькогенідних стеклах <$Eroman As sub x roman Se sub {100~-~x }>. Обчислене за даними, одержаними під час дослідження екзоелектронної емісії методом Озави, значення енергії активації для поверхневої ретрифікації становить 0,75 еВ. Енергія активації, визначена тим же методом за даними диференційного термічного аналізу, становить 1,91 еВ.

Kinetics of phase transitions occurring in semiconducting chalcogenide glasses <$Eroman As sub x roman Se sub {100~-~x }> (x = 10, 40, 50) has been investigated by parallel thermoanalytical (DTA) and exoelectron emission (EEE) measurements. Activation energy for the surface retrification, estimated using the Ozawa method from EEE data, amounts 0,75 eV. The activation energy for the volume retrification, determined by the Ozawa method from DTA data, equals 1,91 eV.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"