С помощью современных методов исследована сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах "кремний-диоксид кремния". Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. Показано влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния.

The near-surface silicon layers in silicon Ц dioxide silicon systems with modern methods of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. It is shown the influence of initial defects on mechanical stress and deformation distribution in oxidized silicon.

• Кулініч Олег Анатолійович (1955–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"