Рассмотрена возможность получения эффективных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) III поколения. Исследованы гетероструктуры на основе GaAs c квантовыми точками (КТ) InAs, полученными в процессе жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова. Характеристики ФЭП, изготовленных на основе гетероструктур, содержащих КТ в области рЦп-перехода, уступают контрольным фотопреобразователям, изготовленным на таких же структурах, но без КТ. Фотопреобразователи, содержащие КТ в р-области, не уступают контрольным и даже являются несколько лучшими.

Heterostructures based on GaAs with InAs quantum dots obtained in the process of liquid-phase epitaxy by the method of pulse cooling of saturated solution in indium or heterostructures containing quantum dots in the area of the pЦn-junction were much worse than control solar cells manufactured on the same structures but without quantum dots. Solar cells containing quantum dots in the p-region were slightly better than control solar cells.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"