Розкрито фізичні основи електронних явищ перенесення у напівпровідниках. На засадах єдиного підходу висвітлено феноменологічну теорію кінетичних ефектів у напівпровідниках, визначено умови їх спостереження та механізми виникнення. Охарактеризовано аспекти практичного використання даних ефектів у напівпровідниковій електроніці. Розглянуто поверхневі та контактні явища у напівпровідниках, явища у сильному електричному та квантувальному магнітному полях. Проаналізовано особливості електронних властивостей сильнолегованих і некристалічних напівпровідників. Описано електронні властивості нанорозмірних структур. Увагу приділено спіновому перенесенню. Викладено фізичні основи вимірювання кінетичних параметрів напівпровідників.

Раскрыты физические основы электронных явлений переноса в полупроводниках. С учетом единого подхода освещена феноменологическая теория кинетических эффектов в полупроводниках, определены условия их наблюдения. Охарактеризованы аспекты практического использования данных эффектов у полупроводниковых электронике. Рассмотрены поверхностные и контактные явления в полупроводниках, явления в сильном электрическом и квантивальном магнитном полях. Проанализированы особенности электронных свойств сильнолегированных и некристаллических полупроводников. Описаны электронные свойства наноразмерных структур. Внимание уделено спиновому переносу. Изложены физические основы измерения кинетических параметров полупроводников.

• Савчин Володимир Павлович (фізико-математичні науки)
• Шувар Роман Ярославович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"