Краснов В. А. Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+Цn-типа / В. А. Краснов, Ю. М. Шварц, М. М. Шварц, Д. П. Копко, С. Ю. Ерохин, А. М. Фонкич, С. В. Шутов, Н. И. Сыпко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - № 6. - С. 38-40. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Разработана методика получения p+Цn-диодных эпитаксиальных структур GaP из жидкой фазы. В диапазоне температуры 80 - 520 К измерены термометрические и вольтамперные характеристики опытных образцов диодных сенсоров температуры и определены их основные технические параметры. Показана перспективность применения разработанных GaP-диодов в качестве чувствительных элементов высокотемпературных сенсоров. The method of reception of p+Цn-diode epitaxial structures of GaP from liquid phase is developed. In the temperature range of 80Ч520 K thermometric and current-voltage characteristics of test models of diode temperature sensors are measured and their basic technical parameters are determined. Perspectivity of developed GaP-diodes application as sensitive elements of high-temperature sensor is shown. Ключ. слова: сенсор, температура, диод, GaP. Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|