Показана возможность создания кремния мультипористой текстуры как материала структуры фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Рассмотрены морфологические элементы пористого кремния относительно разных параметров поры. Показано, что при использовании колоннообразного мультипористого кремния, выращенного химическим и электрохимическим методами, интегральный коэффициент отражения фронтальной поверхности ФЭП уменьшается.

Показано можливість створення кремнію мультипористої текстури як матеріалу структури фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Розглянуто морфологічні елементи пористого кремнію щодо різних параметрів пори. Показано, що під час використання колоноподібного мультипористого кремнію, який виростили хімічним і електрохімічним методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП зменшується.

The possibility of creation of porous siliconТs multitexture, as material of structure of photoelectric converter (FEC) is shown. The morphological elements of porous silicon are considered relative to different pore parameters. The integral coefficient of frontal surface reflection of FEC with using of columnar multitexture in the range from 400 nm up to 1150 nm decreased.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"