Разработаны различные конструкции оптических сенсоров газов и газоанализаторов на их основе с использованием маломощных полупроводниковых источников ИК-излучения на длины волн 2,5 - 5,0 мкм, изготовленных на базе гетероструктур InGaAs/InAs и InAsSbP/InAs. Приведены экспериментальные результаты, демонстрирующие возможность применения полупроводниковых источников ИК-излучения в оптических сенсорах для измерения концентрации метана <$Eroman CH sub 4> и диоксида углерода <$Eroman CO sub 2>. Показана перспективность использования таких сенсоров в приборах газового анализа нового поколения.

Various constructions of optic sensors of gas and gas analyzers on their basis with the use of low- powered semiconductor sources of infrared emission for wave-length of 2,5Ц5,0 mm made on basis of InGaAs/InAs and InAsSbP/InAs heterostructures are worked out. The experimental results demonstrating the ability of application of semiconductor sources of infrared emission in optic sensors for measuring of metan concentration (CH4) and carbon dioxide (CO2) are given. The availability of use of such sensors in the gas analysis equipment of new generation is shown.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"