Рассмотрены характеристики диодов Ганна на основе InP, изготовленных из эпитаксиальных структур <$En sup + ~-~n~-~n sup +>- и <$En~-~n sup +>-типов. Представлена технологическая схема изготовления чипов диодов Ганна. Рассмотрены особенности конструирования InP-диодов Ганна, обусловленные свойствами исходного материала.

Розглянуто характеристики діодів Ганна на основі InP, виготовлених з епітаксійних структур <$En sup + ~-~n~-~n sup +>- та <$En~-~n sup +>-типів. Подано технологічну схему виготовлення чипів діодів Ганна. Розглянуто особливості конструювання InP-діодів Ганна, обумовлених властивостями вихідного матеріалу.

The characteristics of InP Gunn diodes manufactured of epitaxial structures of <$En sup + ~-~n~-~n sup +> and <$En~-~n sup +>- types are considered. The technological scheme of Gunn diode chips manufacturing is given. The features of InP Gunn diodes designing based on starting material are shown.

• Іванов Вадим Миколайович (1892–1962) (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"