Исследована зависимость времени восстановления тока trr от параметров отжига диодных структур после их облучения электронами еЦ с энергией 4 и 10 МэВ флюэнсами <$E6~ cdot ~10 sup 15 ~roman см sup 2> и <$E8~ cdot ~10 sup 14 ~roman см sup 2>, соответственно. Диоды с минимальным временем trr и максимальным коэффициентом формы Кrr тока восстановления получены при отжиге структур после облучения еЦ с энергией 4 МэВ и флюэнсом <$E6~ cdot ~10 sup 15 ~roman см sup 2>. Время trr уменьшается при увеличении отношения концентрации центров рекомбинации Е3(0,37) к концентрации других дефектов. При этом для кремния, легированного при помощи трансмутационных ядерных реакций, необходимо повышать температуру отжига по сравнению с кремнием Чохральского и зонной плавки.

In work was conducted study to dependencies of time of the reconstruction under annealing diode structures after their irradiations electron to different energy 4 and 10 MеV with stream 6·1015 smЦ2 and 8·1014 smЦ2. The Diodes since minimum time of the reconstruction trr and maximum factor of the form Krr current of the reconstruction are received under annealing structures after irradiation electron energy 4 MеV and dose 6·1015 sm-2. The time of the reconstruction on diode structure is decreased when there іs raised relations of the concentrations of the recombina- tion centres АlVО E3(0,37) to the concentrations rest defect. There are temperature annealing is raised for neutron- doped silicon and decrease for Chochralski and floating-zone silicon.

• Кравчина Віталій Вікторович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"