Предложена структура системы преобразования топологической информации для цифровой литографии. Разработан метод формирования локальных трехмерных КНИ-структур, который позволяет создавать как планарные, так и трехмерные приборные элементы и контакты. На КНИ- структурах разработан управляющий высоковольтный МОП-транзистор и ячейка памяти с формирователем сигналов для хранения топологической информации. Экспертная оптимизация топологии ячейки памяти позволила значительно уменьшить ее площадь по сравнению с площадью ячейки, изготовленной по стандартной n-канальной МОП-технологии.

The system structure of the topological information transformation for digital lithography is offered. The formation method of local three-dimensional SOI structures, which allows creating both planar and three-dimensional device elements and contacts, is developed. The controlled high-voltage MOS transistor and a cell of memory with signal shaper for topological information storage are developed on SOI structures. Expert optimization of a memory cell topology has allowed reducing its area considerably.

• Сапон Сергій Васильович (фізико-математичні науки)
• Ховерко Юрій Миколайович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"