Розкрито фізичні основи напівпровідникових приладів згідно з сучасною квантовою теорією. Описано технологію виготовлення напівпровідникових діодів від найпростіших випрямних до спеціальних. Наведено загальні відомості про біполярні, польові, одноперехідний та фототранзистори та тиристори. Висвітлено основи проектування і технологію виготовлення гібридних інтегральних мікросхем (ІМ), визначено компоненти напівпровідникових ІМ, зокрема, транзисторів, діодів, резисторів, конденсаторів та індуктивності. Охарактеризовано гальваномагнітні прилади - феромагнітні та електроізоляційні матеріали, намотувальні дроти, хімічні джерела струму (основні гальванічні елементи та акумулятори), твердотільні електрохімічні перетворювачі теплоти.

Раскрыты физические основы полупроводниковых приборов в соответствии с современной квантовой теорией. Описана технология изготовления полупроводниковых диодов от простейших выпрямительных до специальных. Даны общие сведения о биполярных, полевых, однопереходном и фототранзисторах и тиристорах. Освещены основы проектирования и технология изготовления гибридных интегральных микросхем (ИМ), определены компоненты полупроводниковых ИМ, в частности, транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и индуктивности. Охарактеризованы гальваномагнитные приборы - ферромагнитные и электроизоляционные материалы, наматывающие проволоки, химические источники тока (основные гальванические элементы и аккумуляторы), твердотельные электрохимические преобразователи теплоты.

• Колесницький Олег Костянтинович (технічні науки)
• Тужанський Станіслав Євгенович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"