Создан измерительный комплекс, который совместно с разработанным программным обеспечением позволяет проводить измерения компонент тензора диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь одноосных кристаллов с тетрагональным типом симметрии, а также двуосных кристаллов с ромбическим типом симметрии в микроволновом диапазоне без их разрушения. Погрешность измерения диэлектрической проницаемости изотропных диэлектриков составляет менее 1 %, компонент тензора диэлектрической проницаемости не превышает 3 %, коэффициента диэлектрических потерь - 5 %.

Створено вимірювальний комплекс, який спільно з розробленим програмним забезпеченням дозволяє проводити вимірювання компонент тензора діелектричної проникності і діелектричних втрат одноосьових кристалів з тетрагональним типом симетрії, а також двоосьових кристалів з ромбічним типом симетрії в мікрохвильовому діапазоні без їх руйнування. Похибка вимірювання діелектричної проникності ізотропних діелектриків складає менше 1 %, компонент тензора діелектричної проникності не перевищує 3 %, коефіцієнта діелектричних втрат - 5 %.

The measuring complex which together with the developed software make it possible to measure components of tensor of dielectric permeability and dielectric loss of crystals with one axis and tetragonal type of symmetry as well as crystals with two axes and rhombic type of symmetry in microwave range without destruction was created. The measurement error of dielectric permeability of isotropic dielectrics is less than 1,5%, the tensor components of dielectric permeability is no more than 3%, dielectric loss factor is 5%.

• Стрижаченко Олександр Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"