Джангидзе Л. Б. Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором / Л. Б. Джангидзе, А. Н. Тавхелидзе, Ю. М. Благидзе, З. И. Талиашвили // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2009. - № 2. - С. 37-42. - Библиогр.: 18 назв. - рус.Электроосаждение медного электрода на подложке Si осуществляется для получения вакуумного нанозазора большой площади для термотуннельных приборов. Для получения правильной геометрии такого электрода и уменьшения внутреннего напряжения в нем использовано вращение катода, различные защитные маски, асимметричный токовый режим, регулирование и стабилизацию температуры электролита. Уменьшение диаметра электрода до 3 мм и увеличение толщины исходной кремниевой пластины до 2 мм дает возможность вырастить электрод с изгибом порядка 2,5 нм/мм. Это позволило получить два конформных электрода с нанозазором менее 5 нм на площади <$E7~ roman мм sup 2>. Такие конформные электроды можно использовать в устройствах на основе туннельного прохождения электронов. Електроосадження мідного електроду на підкладці Si здійснюється для одержання вакуумного нанозазору великої площі для термотунельних приладів. Для одержання правильної геометрії такого електроду і зменшення внутрішньої напруги в ньому використовували обертання катода, різні захисні маски, асиметричний струмовий режим, регулювання і стабілізацію температури електроліту. Зменшення діаметру електроду до 3 мм і збільшення товщини кремнієвої пластини до 2 мм дає можливість виростити електрод з вигином порядка 2,5 нм/мм. Це дозволило одержати два конформні електроди з нанозазором менше 5 нм на площі <$E7~ roman мм sup 2>. Такі конформні електроди можна використовувати в пристроях на основі тунельного проходження електронів. Electroplating of a Cu electrode on a Si substrate is carried into effect in order to get vacuum nano-clearance of a big area for the thermotunnel devices. For obtaining the correct geometry of such an electrode and reduction of the internal tension, there were used the rotation of the cathode, various protective masks, the dissymmetric current mode, the regulation and stabilization of electrolitТs temperature. The diameter of electrode reduction down to 3 mm and the increase in thickness of an initial silicon plate up to 2 mm enable to grow up an electrode with a bend of about 2,5 nm/mm. Which made it possible to obtain two conform electrodes with the nano-clearance of less than 5 nm on the area of <$E7~ roman мм sup 2>. The conform electrodes of this type may be used in the device based on electrons tunnel transition. Ключ. слова: электрохимическое осаждение Cu, конформные поверхности, электронное туннелирование, термотуннелирование. Індекс рубрикатора НБУВ: З392.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|