Исследованы химический состав, структурные свойства и электрофизические параметры тонких пленок BaCuTeF. Изучена зависимость количества избыточной меди от параметров технологического процесса напыления. Добавление избыточной меди приводит к повышению проводимости пленок за счет увеличения подвижности дырок. Тонкие пленки BaCuTeF могут быть использованы для изготовления прозрачных р++-контактов к элементам полупроводниковой электроники.

Сhemical composition, structural and electrical properties of the BaCuTeF thin films were investigated. Dependence of the copper excess on the deposition parameters was studied. Excess of copper improves the electrical properties of the films by means of increasing the hole mobility. BaCuTeF thin films can be used as transparent p++-contacts for semiconductor electronics devices.

Ключ. слова: BaCuTeF, прозрачные полупроводники р-типа, p++-контакты.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Готра Зенон Юрійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"