Глинчук К. Д. Анализ зависимостей интенсивностей краевых полос люминесценции в CdTe и GaAs от интенсивности возбуждения / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 120-135. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Проанализированы наблюдаемые при низких температурах и низких интенсивностях возбуждения в прямозонных полупроводниках CdTe и GaAs зависимости интенсивностей краевых полос люминесценции от интенсивности возбуждения. Показано, что они могут быть последовательно объяснены, если предположить, что в формировании краевой люминесценции в теллуриде кадмия и арсениде галлия принимают участие как изолированные, так и связанные акцепторы и доноры. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|