Приведены результаты электрохимических исследований модели гальванопары свежеобразованная поверхность - запассивированная поверхность стали 15Х2НМФА в реакторной воде борного регулирования с pH 8 в условиях воздействия высоких температур (до 300 <$E symbol Р >C) и давлений. На основании изучения кинетики потенциала и тока гальванопары и их температурных зависимостей сделан вывод о существенном влиянии гальванопары на ускорение подрастания коррозионно-механической трещины. По результатам исследований и данным литературных источников проанализирована электрохимическая ситуация в вершине коррозионно-механической трещины и предложен возможный механизм процессов, описывающий влияние высокотемпературной водной среды на рост трещин.

• Похмурський Василь Іванович (1933–) (технічні науки)
• Антощак Ігор Миколайович (технічні науки)
• Гнип Ірина Петрівна (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"