Гіцу Д. Анізотропія ефектів переносу в тонких нитках вісмуту / Д. Гіцу, Т. Губер, А. Ніколаєва // Термоелектрика. - 2002. - № 1. - С. 35-60. - Бібліогр.: 37 назв. - укp.Вивчено розмірні зміни структури кутових діаграм гальвано-термомагнітних ефектів у тонких монокристалічних нитках вісмуту різної орієнтації діаметром 0,18 - 5 мкм магнітних полях до 30 кЕ, у температурному діапазоні 4,2 - 300 K. Виміряно зразки двох типів, де: а) основний потік зарядових носіїв (струму чи температурного градієнта) спрямований уздовж осі третього порядку (<$E C sub 3>) кристала; б) основний потік спрямований уздовж однієї з осей бісектрис <$E C sub s> або утворює з нею кут <$E phi~symbol Ы~19,5 symbol Р>. Розглянуто особливості анізотропії парних і непарних поперечних ефектів, що відбивають специфіку поперечного компонента потоків носіїв заряду у магнітному полі. Одержані експериментальні дані порівнюються з результатами феноменологічних і мікроскопічних теорій для об'ємних кристалів. Виявлено залежність поперечного магнітоопору ниток Bi від товщини за температури <$E T~symbol Г~ 77> K. Визначено усереднену "ефективну" рухливість <$E mu sup eff> носіїв заряду та її залежність від діаметра в температурному діапазоні 300 - 4,2 K, виявлено її практично лінійне зменшення для <$E d~<<~5> мкм за низьких температур. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.35
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|