Досліджено процес адсорбції молекули кисню на поверхню кремнію <$E roman Si(001)2~times~1> над рядом димерів кремнію за допомогою напівемпіричного методу MNDO-PM3. Розглянуто адсорбцію молекули кисню на чисту поверхню кремнію, поверхню з початковим зарядом Q = -1e та поверхню з атомом Вi. Знайдено енергії активації дисоціації кисню на поверхні Si(001): 0,88; 0,85; 0,45 і 0,51 еВ відповідно для синглетного та триплетного станів системи, стану з початковим зарядом і в присутності Вi. Проаналізовано вплив початкового заряду на процес дисоціації молекули кисню. Показано, що ймовірність окиснення залежить від присутності заряду на поверхні.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.2

Рубрики:

Адсорбція

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"